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J-GLOBAL ID:200903092241825768

透明導電性基板

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 泉名 謙治
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993296059
Publication number (International publication number):1995131044
Application date: Nov. 01, 1993
Publication date: May. 19, 1995
Summary:
【要約】【構成】透明絶縁性基板1上に第1の透明導電性薄膜2を形成し、さらにその上に相異なる第2の透明導電性薄膜3を形成した透明導電性基板において、第2の透明導電性薄膜3が結晶性薄膜からなることを特徴とする透明導電性基板。【効果】高基板温度、高パワー密度といった還元性の高いプラズマ条件下においても耐プラズマ性に優れた太陽電池用透明導電性基板を提供することが可能となる。
Claim (excerpt):
透明絶縁性基板上に第1の透明導電性薄膜を形成し、さらにその上に相異なる第2の透明導電性薄膜を形成した透明導電性基板において、第2の透明導電性薄膜が結晶性薄膜からなることを特徴とする透明導電性基板。
IPC (2):
H01L 31/04 ,  H01B 5/14

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