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J-GLOBAL ID：200903092249921758

薄膜バリスタの製造方法及び薄膜バリスタ

Inventor： 梶芳 浩二 ,  浜地 幸生 ,  坂部 行雄 ,  吉村 昌弘
Applicant, Patent owner： 株式会社村田製作所 ,  新技術事業団 ,  吉村 昌弘
Agent (1)： 西澤 均
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992124309
Publication number (International publication number)：1993299209
Application date： Apr. 16, 1992
Publication date： Nov. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】 低温でかつ、簡便に低電圧回路に対応することが可能な薄膜バリスタを製造する。【構成】 チタン(Ti)金属からなるチタン基板1を0.1mol/l 以上のストロンチウムイオン(Sr2+)を含むpH13以上の処理水溶液に浸漬し、100°C以上の温度で水熱処理することによりチタン基板1の表面にチタン酸ストロンチウム(SrTiO3)薄膜2を形成した後、チタン酸ストロンチウム薄膜2上に電極として金属膜3を形成する。

Claim (excerpt)：

チタン(Ti)金属からなるチタン基板を0.1mol/l 以上のストロンチウムイオン(Sr2+)を含むpH13以上の処理水溶液に浸漬し、100°C以上の温度で水熱処理することにより前記チタン基板の表面にチタン酸ストロンチウム(SrTiO3)薄膜を形成した後、前記チタン酸ストロンチウム薄膜上に電極として金属膜を形成することを特徴とする薄膜バリスタの製造方法。

IPC (4)：

H01C 7/10 ,  H01C 17/16 ,  H01C 17/28 ,  H01L 27/06