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J-GLOBAL ID：200903092257151007

半導体メモリ素子のアクセス方法及び半導体メモリ素子

Inventor： 関 洋介
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994053606
Publication number (International publication number)：1995262769
Application date： Mar. 24, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【構成】 ブロック単位でデータを扱う装置に使用される半導体メモリLSIであり、アドレスストローブ(AS)信号に基づいてアドレスの下位8ビット(A0〜A7)とデータ(D0〜D7)の切換選択を行うセレクタ33と、アドレス(A0〜A11)に対応するブロック番号を設定するアドレスセッター34きによって、メモリ32へのデータの書き込み/読み出し時のアドレス指定をブロック番号により行い、カウンタ31によって、設定したアドレス番号からメモリ32の実アドレスを計算し、データストローブ(DS)信号に同期してカウントアップを行うことでメモリ32から1ワード毎に連続的にデータをアクセスする。【効果】 アドレス指定のピン数を減らしてLSIパッケージを小型化でき、またデータのアクセス速度を速くすることも可能となる。

Claim (excerpt)：

ブロック単位でデータを扱う装置に使用される半導体メモリ素子のアクセス方法において、メモリへのデータの書き込み/読み出し時のアドレス指定をブロック番号により行い、当該ブロックに含まれるデータをブロック番号に続くタイミング信号に同期して連続的にアクセスすることを特徴とする半導体メモリ素子のアクセス方法。

IPC (4)：

G11C 11/401 ,  G06F 12/06 523 ,  G11C 11/41 ,  G11C 16/06

FI (4)：

G11C 11/34 371 K ,  G11C 11/34 301 D ,  G11C 11/34 362 C ,  G11C 17/00 309 J