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J-GLOBAL ID：200903092262544904
半導体レーザおよびその作製方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991074977
Publication number (International publication number)：1994021576
Application date： Apr. 08, 1991
Publication date： Jan. 28, 1994
Summary：
【要約】【目的】 可視光領域に発振波長を有する半導体レーザに関するものである。クラッド層と活性層の間に特殊な構造を作製することで活性層への不純物や欠陥の拡散を防止する。よって良好な特性で、かつ長寿命の半導体レーザを提供する。【構成】 n-GaAs基板1上にn-GaAsバッファ層2を介してGa0.5In0.5P活性層4をn-(Al0.6Ga0.4)0.5In0.5Pクラッド層3およびp-(Al0.6Ga0.4)0.5In0.5Pクラッド層5で挟むダブルヘテロ構造を有する。Ga0.5In0.5P活性層4とp-(Al0.6Ga0.4)0.5In0.5Pクラッド層5の間に薄膜多層構造6を有する。薄膜多層構造6は5nmのp-(Al0.6Ga0.4)0.5In0.5P層15と、5nmの不純物無添加の(Al0.6Ga0.4)0.5In0.5P層16を交互にそれぞれ10層積層した構造にである。
Claim (excerpt)：
ダブルヘテロ構造を有する半導体レーザにおいて、クラッド層と活性層との間に不純物添加の半導体層と不純物無添加の半導体層から成る薄膜多層構造を有し、かつ上記不純物無添加の半導体層の膜厚が多数キャリアの拡散長より薄いことを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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