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J-GLOBAL ID：200903092263677061

カーボン単層ナノチューブの製造方法

Inventor： 吉川 英樹
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996003636
Publication number (International publication number)：1997188509
Application date： Jan. 12, 1996
Publication date： Jul. 22, 1997
Summary：

【要約】【課題】 高品質なカーボン単層ナノチューブを長時間製造することができなかった。【解決手段】 無電極の高周波プラズマを用いることにより、アーク放電法にあるような電極の消耗によるプラズマ状態の変動が原理的に無く、長時間安定してカーボン単層ナノチューブを合成できる。高周波プラズマの周縁部に原料の供給とは独立に、炭素をエッチングする水素ガスやガス温度を急冷させるアルゴンガスを供給することにより、カーボン単層ナノチューブの収量を下げずに、不純物であるアモルファスカーボンやグラファイトの生成を抑えられる。

Claim (excerpt)：

無電極の高周波プラズマを用いてプラズマを発生させ、炭素原料と金属触媒を前記プラズマ中に供給することを特徴とするカーボン単層ナノチューブの製造方法。

IPC (2)：

C01B 31/02 101 ,  D01F 9/127

FI (2)：

C01B 31/02 101 Z ,  D01F 9/127