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J-GLOBAL ID：200903092273749273

レジストパターンの形成方法

Inventor： 上谷 保則
Applicant, Patent owner： 住友化学工業株式会社
Agent (1)： 久保山 隆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996172021
Publication number (International publication number)：1997319097
Application date： Jul. 02, 1996
Publication date： Dec. 12, 1997
Summary：

【要約】【課題】 ポジ型レジストを用いてパターンを形成する際、表面難溶化層の形成を抑制し、また現像液に対する親和性をよくして、レジスト性能の向上を図る。【解決手段】 (A)基板上にポジ型レジスト膜を形成すること、(B)このレジスト膜にパターニングのための活性線を照射すること、(C)このパターニングのための照射とは別に、レジスト膜に吸収される性質を有し、かつパターニングのための活性線とは異なる光を、現像後の膜減りが事実上生じない範囲の露光量で全面露光すること、そして(D)上記パターニングのための照射および全面露光を行ったあとに現像することにより、パターンを形成する。

Claim (excerpt)：

(A)基板上にポジ型レジスト膜を形成すること、(B)該レジスト膜にパターニングのための活性線を照射すること、(C)該レジスト膜に吸収される性質を有し、パターニングのための活性線とは異なる光を、現像後の膜減りが事実上生じない範囲の露光量で該レジスト膜に全面露光すること、そして(D)前記パターニング照射および全面露光を行ったあとに現像することを特徴とするレジストパターンの形成方法。

IPC (7)：

G03F 7/38 511 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/022 ,  G03F 7/039 501 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/30 ,  H01L 21/027

FI (7)：

G03F 7/38 511 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/022 ,  G03F 7/039 501 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/30 ,  H01L 21/30 502 A