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J-GLOBAL ID：200903092283526060

温度サイクル動作型セラミツク静電式チヤツク

Inventor： ジヨセフ・スキナー・ローガン ,  レイモンド・ロバート・ラツケル ,  ロバート・エリ・トンプキンス ,  ロバート・ピーター・ウエスターフイールド,ジユニアー
Applicant, Patent owner： インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイシヨン
Agent (1)： 頓宮 孝一 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992080760
Publication number (International publication number)：1993109876
Application date： Apr. 02, 1992
Publication date： Apr. 30, 1993
Summary：

【要約】【目的】 幅広く変化する温度サイクルにおいて使用できる静電式チャックを提供すること。【構成】 静電式チャック40を、上から下に、分離層42と、基板45上に導電性静電パターン46を配した静電パターン層44と、基板52上に導電性加熱パターン54を配した加熱層50と、支持体60と、及び冷却用チャンネル78と温度制御チャンバ80を設けたヒートシンク台70と、で構成する。

Claim (excerpt)：

半導体ウェーハをクランプするための静電式チャックであって、上から下に、a) 電気的に絶縁性でかつ熱伝導性の分離層と、b) 静電パターン層であって、静電力を発生するために該静電パターン層上に配した第1の導電性パターンと、前記第1導電性パターンに電気エネルギを伝えるため該静電パターン層を貫通するように配した第1の導電性バイアと、を有する前記の静電パターン層と、c) 加熱層であって、前記ウェーハを加熱するための熱を発生するために該加熱層上に配した第2の導電性パターンと、前記第1導電性バイアに電気エネルギを伝えるため該加熱層を貫通するように配した第2の導電性バイアと、該第2導電性パターンに電気エネルギを伝えるために該加熱層を貫通するように配した第3の導電性バイアと、を有する前記の加熱層と、d) 支持体であって、前記第1及び第3の導電性バイアに電気エネルギを伝えるために該支持体を貫通するように配した第4及び第5の導電性バイアを有する、前記の支持体と、及びe) ヒートシンク基体であって、前記第4及び第5の導電性バイアにアクセスするためのアクセス孔を該基体を貫通するように設けた、前記のヒートシンク基体と、を備えている静電式チャック。

IPC (3)：

H01L 21/68 ,  B23Q 3/15 ,  B23Q 11/14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開昭48-016774