半導体記憶素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大胡典夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000287137
Publication number (International publication number)：2002100687
Application date： Sep. 21, 2000
Publication date： Apr. 05, 2002
Summary：

【要約】【課題】浮遊ゲートとして電荷蓄積微粒子を有する不揮発性半導体記憶素子において、十分に長いリテンションを実現する。【解決手段】ソース領域106及びドレイン領域107間に形成されたチャネル領域108と、前記チャネル領域108上に形成され、量子力学的に電子が直接トンネルすることが可能な第1の絶縁層102と、前記第1の絶縁層102上に形成された半導体或いは導体からなる電子蓄積微粒子109とを具備し、前記電子蓄積微粒子109における伝導帯端のエネルギーバンドが、前記チャネル領域108における伝導帯端のエネルギーバンドよりも低いことを特徴とする半導体記憶素子。

Claim (excerpt)：

半導体層と、前記半導体層中に形成されたソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域及びドレイン領域間に形成されたチャネル領域と、前記チャネル領域上に形成され、量子力学的に電子が直接トンネルすることが可能な第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層上に形成された半導体或いは導体からなる電子蓄積微粒子と、前記電子蓄積微粒子上に形成された第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層上に形成された制御電極とを具備し、前記電子蓄積微粒子における伝導帯端のエネルギーバンドが、前記チャネル領域における伝導帯端のエネルギーバンドよりも低いことを特徴とする半導体記憶素子。

IPC (4)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

F-Term (27)：

5F001AA19 , 5F001AA34 , 5F001AB02 , 5F001AC02 , 5F001AD20 , 5F001AF06 , 5F001AG22 , 5F083EP03 , 5F083EP07 , 5F083EP09 , 5F083EP17 , 5F083EP22 , 5F083ER03 , 5F083ER06 , 5F083ER11 , 5F083ER14 , 5F083ER15 , 5F083HA06 , 5F083JA31 , 5F083PR12 , 5F101BA16 , 5F101BA54 , 5F101BB02 , 5F101BC02 , 5F101BD12 , 5F101BF02 , 5F101BH04

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

半導体記憶装置ならびにその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-283691 Applicant：株式会社日立製作所

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