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J-GLOBAL ID：200903092293858486

プラズマCVD装置

Inventor： 新井 康司 ,  田辺 浩 ,  山田 雄一郎 ,  宝珍 隆三
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993181166
Publication number (International publication number)：1995037810
Application date： Jul. 22, 1993
Publication date： Feb. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】 保守管理に手間がかからず、処理品質も良好なプラズマCVD装置を提供する。【構成】 基板1に成膜時、搬送手段4、ブロックヒータ7等への薄膜の付着防止のために防着板9が配置されているプラズマCVD装置において、電極6と基板保持手段2間及び基板保持手段2と防着板9間にそれぞれ可撓性中空体12内に流体を封入したシール材を介装し、薄膜形成時にシール材内部の流体圧によってその可撓性中空体をシール面に密着させてシール面の加工精度が低い場合でもシール状態を確保し、搬送手段、ブロックヒータ、その周辺部の処理室内壁及び電極を処理室内壁間に臨む空間の壁面に薄膜が付着するのを防止する。

Claim (excerpt)：

処理室に、基板保持手段に保持された基板を搬送させる搬送装置と、処理室内で基板の表面と対向する位置にプラズマガスを吹き出すガス噴出装置と、処理室内壁に防着装置を備えたプラズマCVD装置において、前記噴出装置と基板保持装置間及び基板保持装置と防着装置間にそれぞれ可撓性中空体内に流体を封入したシール材を介装したことを特徴とするプラズマCVD装置。