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J-GLOBAL ID：200903092294211630

表面処理方法および表面処理装置

Inventor： 小藤 直行 ,  新井 眞 ,  辻本 和典 ,  水谷 巽 ,  鈴木 敬三 ,  水石 賢一
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994293688
Publication number (International publication number)：1996139077
Application date： Nov. 04, 1994
Publication date： May. 31, 1996
Summary：

【要約】【目的】 電子シェーディング現象に起因するノッチやチャージアップダメージ、サブトレンチ、ボーイング等の発生を抑制する。【構成】 バイアスとしてデューティー比5 %以下、繰り返し周波数400KHz以上のパルス電圧を印加する。【効果】 基板バイアスに電子を加速するサイクルが生じ、電子シェーディング現象が起こらなくなる。これによって、電子シェーディング現象に起因する諸問題が解消される。

Claim (excerpt)：

減圧処理室内に載置した被処理物にプラズマを供給すると共に前記被処理物にバイアス電圧を印加することにより被処理物を処理する表面処理方法において、前記バイアス電圧として、パルス波形の正電圧を印加し、かつ、前記表面処理中の前記被処理物の電位の最大値が前記プラズマの電位より大きくなるように前記パルス波形のデューティー比および繰り返し周波数を設定することを特徴とする表面処理方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  C23C 16/50

FI (2)：

H01L 21/302 A ,  H01L 21/302 J