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J-GLOBAL ID：200903092310293110
シリコンウェーハの鏡面加工法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
八田 幹雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992147699
Publication number (International publication number)：1993337816
Application date： Jun. 08, 1992
Publication date： Dec. 21, 1993
Summary：
【要約】【目的】 Siウェーハを鏡面加工する場合に表面のあらさの品位がデバイス特性に影響を与えることがわかっている。本発明はあらさをRaで0.1nm以下に鏡面加工することが目的である。【構成】 従来砥粒径は10〜40nmと広い分布のものが用いられてきた。本発明では35〜45nmとすることにより、均一な砥粒径のものでかつ従来の粒度分布の上限側を用いることによりRaで0.1nm以下を達成した。
Claim (excerpt)：
シリコンウェーハを鏡面加工することにおいて、加工液中の砥粒の粒度分布を35〜45nmに規定することを特徴とするシリコンウェーハの鏡面加工法。
IPC (2)：
B24B 37/00
, H01L 21/304 321
