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J-GLOBAL ID：200903092313291364
半導体記憶装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991342155
Publication number (International publication number)：1994111592
Application date： Nov. 28, 1991
Publication date： Apr. 22, 1994
Summary：
【要約】【目的】 X型セル,フラット型セル構造の半導体記憶装置において、メモリセル間の干渉を排除し高速化を達成する。【構成】 横方向のメモリセルのつながりを分離領域において区切ったアレイ構造を実現する。そしてその分離を、メモリセルトランジスタMijにコア注入を行なって分離用トランジスタSijに変化させることにより行なう。【効果】 メモリセルの横方向のつながりが分離領域で分断されるため、セル間の干渉を排除でき、集積度を殆んど劣化せずに高速アクセスが可能となる。
Claim (excerpt)：
横方向にメモリ素子がつながった構造を有する半導体記憶装置において、メモリ領域を複数のブロックに分割し、かつブロック同士を分離する分離領域を所定間隔で設けてなることを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2)：
FI (2)：
G11C 17/00 304 B
, H01L 27/10 434
