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J-GLOBAL ID：200903092315963327

成膜方法

Inventor： 新納 礼二 ,  大部 智行 ,  池川 寛晄
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社 ,  東京エレクトロン東北株式会社
Agent (1)： 小原 肇
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993189395
Publication number (International publication number)：1995086264
Application date： Jun. 30, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】 被処理体に対して酸化処理及び窒化処理を連続的且つ短時間で行なうことができ、しかも絶縁耐性等の電気的特性に優れた酸化膜を被処理体に形成することができる成膜方法を提供する。【構成】 本成膜方法では、外部ヒータ(抵抗発熱体21)により加熱して所定の850°Cまで昇温させた反応容器30内へ水蒸気を供給し、反応容器30内で熱処理ポート40により保持された25枚の半導体ウエハWの表面を酸化処理用ガスにより酸化させてシリコン酸化膜を形成した後、アンモニアガスで置換すると共に抵抗発熱体21により反応容器30内を900°Cまで加熱してシリコン酸化膜を窒化処理してゲート酸化膜を成膜するようにした。

Claim (excerpt)：

外部ヒータにより加熱して所定の反応温度まで昇温させた反応容器内へ所定の酸化用ガスを供給し、上記反応容器内で保持具により保持された複数の被処理体の表面を酸化処理用ガスにより酸化させて酸化膜を形成した後、窒化処理用ガスで置換すると共に上記外部ヒータにより上記反応容器内を所定温度まで加熱して上記酸化膜を窒化処理することを特徴とする成膜方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭54-163679
  
• 特開平3-257828
  
• 特開平1-071118