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J-GLOBAL ID:200903092319567647

原子間力及び/または電流検知用プローブの形成方法、及びこれにより形成されたプローブを用いた走査型プローブ顕微鏡、情報処理装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 長尾 達也
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995203776
Publication number (International publication number):1997033542
Application date: Jul. 18, 1995
Publication date: Feb. 07, 1997
Summary:
【要約】【目的】 本発明は、形状が一定で、かつ所望の位置にティップを形成することのできる原子間力及び/または電流検知用プローブの形成方法及びこれにより形成されたプローブを用いた走査型プローブ顕微鏡、情報処理装置を提供することを目的とするものである。【構成】 本発明は、上記目的を達成するため、原子間力及び/または電流検知用プローブの形成方法において、単結晶基板を加工してなる弾性体上に、ティップをエピタキシャル成長により形成したことを特徴とするものである。
Claim (excerpt):
原子間力及び/または電流検知用プローブの形成方法において、単結晶基板を加工してなる弾性体上に、ティップをエピタキシャル成長により形成したことを特徴とする原子間力及び/または電流検知用プローブの形成方法。
IPC (4):
G01N 37/00 ,  C30B 29/42 ,  G01B 21/30 ,  G11B 9/00
FI (4):
G01N 37/00 C ,  C30B 29/42 ,  G01B 21/30 Z ,  G11B 9/00

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