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J-GLOBAL ID：200903092322313311

レジスト組成物及びレジストパターン形成方法

Inventor： 野崎 耕司 ,  矢野 映
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997130131
Publication number (International publication number)：1998319595
Application date： May. 20, 1997
Publication date： Dec. 04, 1998
Summary：

【要約】【課題】 KrFもしくはArFエキシマレーザ等に代表される深紫外領域の露光光に対応可能なレジスト組成物を提供する。【解決手段】 モノマー単位の側鎖に保護基含有カルボキシル基を有し、塩基性水溶液に不溶であり、前記カルボキシル基の保護基が側鎖から脱離した場合、塩基性水溶液に可溶となり、前記カルボキシル基の保護基が、【化1】(Rは水素もしくは1価の炭化水素基を表し、nは1〜4の整数であり、Rの結合位置はエステル結合している3位の位置を除く位置である)である重合体を含む。

Claim (excerpt)：

モノマー単位の側鎖に保護基含有カルボキシル基を有し、塩基性水溶液に不溶であり、前記カルボキシル基の保護基が側鎖から脱離した場合、塩基性水溶液に可溶となり、前記カルボキシル基の保護基が、【化1】・・・(1)(Rは水素もしくは1価の炭化水素基を表し、nは1〜4の整数であり、Rの結合位置はエステル結合している3位の位置を除く位置である)である重合体を含むレジスト組成物。

IPC (5)：

G03F 7/039 601 ,  C08L101/06 ,  C09D 5/00 ,  C09D201/06 ,  H01L 21/027

FI (5)：

G03F 7/039 601 ,  C08L101/06 ,  C09D 5/00 C ,  C09D201/06 ,  H01L 21/30 502 R