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J-GLOBAL ID：200903092325471520

多結晶配向膜及びその製造方法並びに酸化物超電導体及びその製造方法

Inventor： 飯島 康裕 ,  柿本 一臣
Applicant, Patent owner： 株式会社フジクラ
Agent (1)： 志賀 正武 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001218645
Publication number (International publication number)：2003036742
Application date： Jul. 18, 2001
Publication date： Feb. 07, 2003
Summary：

【要約】【課題】 臨界電流密度を向上させるとともに、基材からの剥離を防止することが可能な多結晶配向膜及びその製造方法並びに酸化物超電導体及びその製造方法を提供する。【解決手段】 多数の結晶粒が結合されてなる厚さ10〜100nmの薄膜が複数積層されて形成され、かつ前記結晶粒の同一結晶軸が構成する粒界傾角が5〜20度の範囲にされてなることを特徴とする多結晶配向膜を採用する。

Claim (excerpt)：

多数の結晶粒が結合されてなる厚さ10〜100nmの薄膜が複数積層されて形成され、かつ前記結晶粒の同一結晶軸が構成する粒界傾角が5〜20度の範囲にされてなることを特徴とする多結晶配向膜。

IPC (2)：

H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 565

FI (2)：

H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 565 D

F-Term (7)：

5G321AA01 ,  5G321AA04 ,  5G321CA04 ,  5G321CA20 ,  5G321CA24 ,  5G321DB36 ,  5G321DB40

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 多結晶薄膜の製造方法および酸化物超電導導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-249585   Applicant：超電導発電関連機器・材料技術研究組合
• 多結晶薄膜の製造方法と製造装置および多結晶薄膜を備えた酸化物超電導導体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-060187   Applicant：超電導発電関連機器・材料技術研究組合
• 多結晶薄膜の製造方法と酸化物超電導導体の製造方法および多結晶薄膜の製造装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-291404   Applicant：株式会社フジクラ