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J-GLOBAL ID：200903092333040759

化学気相成長装置及び化学気相成長膜形成方法

Inventor： 美舩 章人
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991295587
Publication number (International publication number)：1993132392
Application date： Nov. 12, 1991
Publication date： May. 28, 1993
Summary：

【要約】【目的】 化学気相成長装置及び化学気相成長膜形成方法の改良に関し、簡単且つ容易に設けることができる水蒸気供給管をチャンバの壁面に設けることにより、反応ガス中の水蒸気の濃度を一定に保持でき、膜質と膜厚が一定なWSi膜を形成することが可能となる化学気相成長装置及び化学気相成長膜形成方法の提供を目的とする。【構成】 チャンバ1内のウエーハステージ2に搭載した半導体基板12の表面に高融点金属シリサイド膜を形成する化学気相成長装置であって、このチャンバ1内に水蒸気を供給する水蒸気供給管4をこのチャンバ1の壁面に具備するように構成する。

Claim (excerpt)：

チャンバ(1)内のウエーハステージ(2)に搭載した半導体基板(12)の表面に高融点金属シリサイド膜を形成する化学気相成長装置であって、前記チャンバ(1) 内に水蒸気を供給する水蒸気供給管(4) を前記チャンバ(1)の壁面に具備することを特徴とする化学気相成長装置。

IPC (5)：

C30B 25/14 ,  C23C 16/44 ,  C30B 25/16 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301