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J-GLOBAL ID：200903092342926603

シリコン膜の形成方法及びシリコン膜形成装置

Inventor： 澁谷 宗裕 ,  北川 雅俊 ,  平尾 孝 ,  吉田 哲久 ,  向井 裕二
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995270338
Publication number (International publication number)：1996169708
Application date： Oct. 18, 1995
Publication date： Jul. 02, 1996
Summary：

【要約】【課題】 低コストで、シリコン膜を形成する方法及びシリコン膜形成装置を提供する。【解決手段】 ケイ素および塩素を含み、常温、常圧下で液である化合物を霧状にして加熱した基板に噴霧し、基板の表面近傍で化合物を分解し、シリコン膜を堆積させる。

Claim (excerpt)：

ケイ素及び塩素を含み、常温および常圧下で液体である化合物を反応室内に導入し、該反応室内に保持された基板の表面に該化合物を液体の微粒子の状態で噴霧する工程と、該反応室内の外部より印加されたエネルギによって、該微粒子状の化合物を分解し、該反応室内に保持された基板上にシリコン膜を堆積する工程と、を包含するシリコン膜の形成方法。

IPC (4)：

C01B 33/02 ,  C23C 16/24 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04