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J-GLOBAL ID:200903092363698031
多層回路基板及びその製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
綿貫 隆夫 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997216176
Publication number (International publication number):1999068319
Application date: Aug. 11, 1997
Publication date: Mar. 09, 1999
Summary:
【要約】【課題】 ビルドアップ法によって得られた樹脂の多層回路基板において、チップコンデンサ等を設けることなく電源ライン等のデカップリングが可能な多層回路基板を提供する。【解決手段】 熱硬化性樹脂から成る樹脂フィルムの片面に金属箔が接着された複数枚の片面金属箔フィルムがコア基板12の両面に積層されて形成され、且つ前記金属箔から形成された導体パターン18a〜e、20a〜eの各々が、前記樹脂フィルムから成る樹脂層14a〜d、16a〜dの間に挟まれいると共に、樹脂層14a〜d、16a〜dを貫通するヴィア24、24・・によって電気的に接続されている多層回路基板10において、該多層回路基板10を形成すると共に、電源ライン用の導体パターンと接地ライン用の導電パターンとに挟まれている樹脂層14c、16c、及びコア基板12が、1MHzにおける比誘電率が100以上の誘電材粉末が配合された樹脂によって形成されていることを特徴とする。
Claim (excerpt):
熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂から成る樹脂フィルムの片面に金属箔が接着された複数枚の片面金属箔フィルムが樹脂基板の片面又は両面に積層されて形成され、且つ前記金属箔から形成された導体パターンの各々が、前記樹脂フィルムから成る樹脂層の間に挟まれていると共に、前記樹脂層を貫通するヴィアによって電気的に接続されて成る多層回路基板において、該多層回路基板を形成する樹脂層の少なくとも一層及び/又は樹脂基板が、1MHzにおける比誘電率が100以上の誘電材粉末が配合された樹脂によって形成されていることを特徴とする多層回路基板。
IPC (2):
FI (6):
H05K 3/46 Q
, H05K 3/46 B
, H05K 3/46 K
, H05K 3/46 N
, H05K 3/46 T
, H01L 23/12 N
Patent cited by the Patent: