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J-GLOBAL ID：200903092368666120

芳香族炭酸ジエステルの製造方法

Inventor： 兼子 博章 ,  船越 渉 ,  佐々木 勝司
Applicant, Patent owner： 帝人株式会社
Agent (1)： 前田 純博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998035967
Publication number (International publication number)：1999228503
Application date： Feb. 18, 1998
Publication date： Aug. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】下記式(3)(式中Zは水素原子または炭素数1から4のアルキル基、-COOCH3、および-COOC2H5からなる群より選ばれる少なくとも一種である。)で表される芳香族炭酸ジエステルを製造する方法において目的とする芳香族炭酸ジエステルを転化率、および選択率よく生産する。【解決手段】原料である下記式(1)(式中Xはメチル基またはエチル基である。)で表されるサリチル酸エステル誘導体と、下記式(2)(式中Yは水素原子または炭素数1から4のアルキル基である。)で表される芳香族炭酸ジエステルに含まれる塩素量をそれぞれ1000ppm以下とする。

Claim (excerpt)：

下記式(1)【化1】(式中Xはメチル基またはエチル基である。)で表されるサリチル酸エステル誘導体と、下記式(2)【化2】(式中Yは水素原子、炭素数1から4のアルキル基である。)で表される芳香族炭酸ジエステルとを触媒の存在下、エステル交換することにより下記式(3)【化3】(式中Zは水素原子または炭素数1から4のアルキル基、-COOCH3、および-COOC2H5からなる群より選ばれる少なくとも一種である。)で表される芳香族炭酸ジエステルを製造する方法において、上記式(1)で表されるサリチル酸エステル誘導体と上記式(2)で表される芳香族炭酸ジエステルに含まれる塩素量が該サリチル酸エステル誘導体と該芳香族炭酸ジエステルそれぞれの1000ppm以下であることを特徴とする芳香族炭酸ジエステルの製造方法。

IPC (7)：

C07C 69/96 ,  B01J 23/10 ,  B01J 27/232 ,  B01J 31/02 102 ,  B01J 31/12 ,  C07C 68/06 ,  C07B 61/00 300

FI (7)：

C07C 69/96 Z ,  B01J 23/10 X ,  B01J 27/232 X ,  B01J 31/02 102 X ,  B01J 31/12 X ,  C07C 68/06 Z ,  C07B 61/00 300