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J-GLOBAL ID：200903092374507246

アライメント・マークの形成方法

Inventor： 白井 久嗣
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996035947
Publication number (International publication number)：1997232207
Application date： Feb. 23, 1996
Publication date： Sep. 05, 1997
Summary：

【要約】【課題】 アライメント・マークの形成方法に関し、アライメント・マークを占有面積上から見て効率良く配置し、且つ、アライメント精度を向上させようとする。【解決手段】 ウエハ11に下側配線を形成する第一層目配線材料層を利用して第一層目配線及びアライメント・マーク13Mを同時に形成し、全面に第二層目絶縁膜14を形成してから平坦化し、第二層目絶縁膜14上に第二層目配線材料層を利用して第二層目配線及びアライメント・マーク15M及びアライメント・マーク13Mを覆うアライメント・マーク被覆膜15Cを同時に形成し、全面に第三層目絶縁膜16を形成し、第三層目絶縁膜16を利用してアライメント・マーク被覆膜15C上にアライメント・マーク16Mを形成する。

Claim (excerpt)：

半導体ウエハ上に下側配線を形成する金属系配線材料層を利用して該下側配線及び下側アライメント・マークを同時に形成する工程と、次いで、該下側配線及び下側アライメント・マークを含む全面に下側層間絶縁膜を形成してから該下側層間絶縁膜を平坦化する工程と、次いで、該平坦化された下側層間絶縁膜上に上側配線を形成する金属系配線材料層を利用して該上側配線及び上側アライメント・マーク及び該下側アライメント・マークを覆うアライメント・マーク被覆膜を同時に形成する工程と、次いで、該上側配線及び上側アライメント・マーク及び該下側アライメント・マークを覆うアライメント・マーク被覆膜を含む全面に上側層間絶縁膜を形成する工程と、次いで、該上側層間絶縁膜を利用して該アライメント・マーク被覆膜上にアライメント・マークを形成する工程とが含まれてなることを特徴とするアライメント・マークの形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/027 ,  H01L 27/12

FI (2)：

H01L 21/30 502 M ,  H01L 27/12 Z