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J-GLOBAL ID:200903092383400950

アンテナスイッチ半導体集積回路

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998232486
Publication number (International publication number):2000068807
Application date: Aug. 19, 1998
Publication date: Mar. 03, 2000
Summary:
【要約】【課題】 特定の導通経路に偏重した特性低下を防止し、導通経路の通過損失の低減、さらに非導通経路のアイソレーション特性の向上を図ったアンテナスイッチ半導体集積回路を提供する。【解決手段】 特定の外部接続端子に接続され、シャント機能を行うスイッチ38、39を設け、これらのスイッチの導通、非導通を適切な論理状態を以って切替える。
Claim (excerpt):
複数のガリウム砒素電界効果トランジスタが、その導通、非導通を外部からの制御信号に応じて制御され、外部接続端子を介して接続される外部受信アンテナ、外部送受信アンテナ、内部受信アンテナ及び内部送受信アンテナと受信部及び送信部との接続が切り替えられるようにガリウム砒素半導体チップ上に集積回路化されてなるアンテナスイッチ半導体集積回路において、前記ガリウム砒素半導体チップ上に、受信部といずれかのアンテナが接続状態にあるときは、送信部との接続端子を回路接地状態とする電界効果トランジスタからなるスイッチと、外部送受信アンテナが送信部及び受信部のいずれとも遮断状態にある時は外部受信アンテナとの接続端子を回路接地状態とする電界効果トランジスタからなるスイッチとを設ける一方、外部からの制御信号に応じて前記ガリウム砒素チップ上に設けられた複数のガリウム砒素電界効果トランジスタの内、導通状態とするガリウム砒素電界効果トランジスタを選択するための信号を出力するデコーダ回路と、前記デコーダ回路の出力信号に応じて前記ガリウム砒素半導体チップ上に設けられた複数のガリウム砒素電界効果トランジスタを導通、非導通状態とするための信号を出力するドライブ回路と、を設け、前記デコーダ回路、前記ドライブ回路をシリコンCMOS集積回路化して、前記ガリウム砒素半導体チップとは別体のチップ上に形成し、前記ガリウム砒素半導体チップと共に同一ICパッケージに収納してなることを特徴とする。
F-Term (14):
5J055AX05 ,  5J055AX06 ,  5J055AX28 ,  5J055BX11 ,  5J055CX10 ,  5J055CX26 ,  5J055DX25 ,  5J055DX44 ,  5J055DX48 ,  5J055EY01 ,  5J055EY10 ,  5J055EZ38 ,  5J055GX01 ,  5J055GX02
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
  • スイツチ回路
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平7-027309   Applicant:ソニー株式会社
  • 集積回路
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平8-008046   Applicant:三菱電機株式会社

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