半導体集積回路配線構造体

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小杉佳男 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993065413
Publication number (International publication number)：1994275620
Application date： Mar. 24, 1993
Publication date： Sep. 30, 1994
Summary：

【要約】【目的】半導体集積回路において、Cu配線を用い、CuのSi又はSiO2 への拡散を防止した配線構造を得る。【構成】Si基板1の表面にBPSGの絶縁膜2を設け、その上にNb-Nのアモルファス層3をRFマグネトロンスパッタリングによって成長させ、その表面にCu膜4をRFマグネトロンスパッタリングによって成長させ、Cu配線5を形成する。

Claim (excerpt)：

W,Ta,Nb,Ti及びこれらの窒化物から選ばれた1種の材料のアモルファスのバリア層をCu配線の下地又は被覆として設けたことを特徴とする半導体集積回路配線構造体。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

特開昭63-073645
特開昭64-005015
特開平3-142883

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