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J-GLOBAL ID：200903092440041946
量子井戸結晶体および半導体レーザ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996114529
Publication number (International publication number)：1997298338
Application date： May. 09, 1996
Publication date： Nov. 18, 1997
Summary：
【要約】【課題】 2.0μmの波長で発振する半導体レーザを提供する。【解決手段】 InP基板1上に、InPクラッド層1aを形成し、さらにこの上に成長した7層のInGaAs歪量子井戸層4およびInGaAs障壁層5、さらにInPクラッド層7を形成している。井戸層の組成波長λgは2.2μmであり、障壁層は、InPクラッド層、InP基板に格子整合しており、組成波長λg=1.67μmである。井戸層には 歪量1.3%の圧縮歪みが導入され、障壁層には歪みは導入されていない。この量子井戸結晶体からのフォトルミネッセンス発光波長は、2.0μmであった。
Claim (excerpt)：
基板と、前記基板上に成長したInGaAs井戸層とInGaAs障壁層よりなる量子井戸活性層と、前記活性層上に形成したInPクラッド層とを備え、前記井戸層に導入した格子歪量が0.4%以上2.0%以下で、前記障壁層がInPに格子整合したInGaAs混晶で構成されており、井戸層の数が4層以上である量子井戸結晶体。
IPC (2)：
FI (2)：
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