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J-GLOBAL ID：200903092443172219
磁性多層膜および磁気抵抗効果素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
石井 陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991358522
Publication number (International publication number)：1993182830
Application date： Dec. 27, 1991
Publication date： Jul. 23, 1993
Summary：
【要約】【構成】 好ましくはFe、CoおよびNiの1種以上を含む磁性薄膜と、好ましくは、非磁性薄膜としてAg薄膜とを交互に積層する。この場合、全膜厚をdとし、電子の平均自由行程をliとしたとき、0.5×li≦d≦4×liの関係を満足するように積層する。磁性薄膜および非磁性薄膜は、好ましくは分子線エピタキシー法で成膜し、その厚さは、好ましくは、それぞれ2〜60A および2〜60A とする。多層膜は、面内に磁化容易軸をもち、面内の角型比0.5以下であり、反強磁性を示す。【効果】 十分に大きい磁気抵抗変化をより小さな膜厚で得ることができ、生産効率が向上する。また従来の反強磁性型の多層膜と比較して、数kOe 程度と低い磁場でも巨大磁気抵抗変化率を示し、0.01〜20kOe の範囲で40%程度の大きな磁気抵抗変化率を得ることができる。
Claim (excerpt)：
磁性薄膜と非磁性薄膜とが順次、交互に積層されており、非磁性薄膜をはさむ上下の各々の磁性薄膜間でそれらの磁化が反平行に配列した磁性多層膜において、この全膜厚をdとし、電子の平均自由行程をliとしたとき、0.5×li≦d≦4×liの関係を満足するように磁性薄膜と非磁性薄膜とを積層して作製したことを特徴とする磁性多層膜。
Patent cited by the Patent：
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