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J-GLOBAL ID：200903092444206443

半導体レーザ素子

Inventor： 奥村 敏之 ,  好本 芳和
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994175778
Publication number (International publication number)：1996046281
Application date： Jul. 27, 1994
Publication date： Feb. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】 横モードが安定で無効電流が少なく、動作電圧が低い、内部ストライプ構造を有する半導体レーザ素子を提供する。【構成】 p型GaAs基板1の(100)面に少なくとも(111)面を有するストライプ状溝2が形成され、この状態の基板上にNドープZnyMg1-ySzSe1-z(0≦y≦1、0≦z≦1)層が積層されている。更に、その上にII-VI族化合物半導体からなるp型クラッド層5、活性層7およびn型クラッド層9が形成されている。

Claim (excerpt)：

(100)面を表面に有するp型GaAs基板の該表面側に少なくとも(111)面を有するストライプ状溝が形成され、この状態の基板上にNドープZnyMg1-ySzSe1-z(0≦y≦1、0≦z≦1)層が積層され、更に該NドープZnyMg1-ySzSe1-z層の上にII-VI族化合物半導体からなるp型クラッド層、活性層およびn型クラッド層が形成されている半導体レーザ素子。