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J-GLOBAL ID：200903092446147274

半導体基板およびその製造方法

Inventor： 大橋 拓夫
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996140398
Publication number (International publication number)：1997320912
Application date： Jun. 03, 1996
Publication date： Dec. 12, 1997
Summary：

【要約】【課題】 複数回の熱処理を行う大口径の半導体基板において、基板裏面に発生したスリップが基板表面まで伝播することのない半導体基板を提供して、半導体装置の品質、歩留まりおよびスループットの向上をはかる。【解決手段】 面方位が同じ2枚の単結晶基板1,2の結晶軸方位を互いにずらせて重ね合わせ、熱処理後所定の厚さに仕上げて半導体基板11を形成する。この際少なくとも一方の単結晶基板の接合される側の面にイオン注入などの処理を施すか、または酸化膜を形成して貼り合せを行うことによりスリップ防止が強化される。

Claim (excerpt)：

面方位が同じ第1の単結晶基板と第2の単結晶基板とが重ねられ、前記第1の基板と前記第2の基板の平面上の結晶軸方位が一致しないように、互いに0°を超え90°未満の角度だけずらせて接合され、かつ所定の厚さまで研削・研磨して形成された半導体基板。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 張り合わせウエハ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-130258   Applicant：日本電信電話株式会社, エヌティティエレクトロニクステクノロジー株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-083364   Applicant：三菱電機株式会社