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J-GLOBAL ID：200903092451149927

炭化ケイ素発光ダイオード素子

Inventor： 松下 保彦 ,  上谷 ▲高▼弘
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 西野 卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993233500
Publication number (International publication number)：1994338629
Application date： Sep. 20, 1993
Publication date： Dec. 06, 1994
Summary：

【要約】【目的】 高輝度化が可能なSiC発光ダイオード素子を提供することを目的とする。【構成】 n型SiC単結晶基板1と、n型SiC単結晶基板1上に形成された発光層としてのn型SiC層2と、n型SiC層2上に形成されたホール拡散距離以下の層厚を有するp-型SiC層3と、p-型SiC層3上に形成されたp+型SiC層4とから構成する。

Claim (excerpt)：

発光層としてのn型炭化ケイ素層と、該n型炭化ケイ素層上に設けられたホール拡散距離以下の層厚を有するp-型炭化ケイ素層と、該p-型炭化ケイ素層上に設けられたp+型炭化ケイ素層と、からなることを特徴とする炭化ケイ素発光ダイオード素子。