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J-GLOBAL ID：200903092464047295

フィン電界効果トランジスタおよびフィン電界効果トランジスタを作製する方法

Inventor： ホフマン, フランツ ,  ロスナー, ヴォルフガング ,  ルイケン, リヒャルト ヨハネス
Applicant, Patent owner： インフィネオン テクノロジーズ アクチェンゲゼルシャフト
Agent (1)： 山本 秀策 (外2名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2001567048
Publication number (International publication number)：2003528448
Application date： Mar. 08, 2001
Publication date： Sep. 24, 2003
Summary：

【要約】フィン電界効果トランジスタは、基板と、該基板の上のフィンと、該フィンの一部の上にあるゲートとスペーサとを備え、ゲートおよび/またはスペーサは、実質的にフィンの一部の全高さに沿って延びている。また、フィン電界効果トランジスタを製造する方法は、フィンが基板上に形成され、ゲート層が、基板の上で、フィンの一部に沿って、そして、フィンの一部の上に形成され、絶縁層が該ゲート層の上に形成され、ゲート層が絶縁層の下で一部除去され、スペーサが該絶縁層の下に形成される。

Claim (excerpt)：

基板と、 該基板の上のフィンと、 該フィンの一部の上にあるゲートとスペーサとを備えた、フィン電界効果トランジスタ。

F-Term (22)：

5F110AA30 ,  5F110CC02 ,  5F110CC09 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE30 ,  5F110EE31 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG22 ,  5F110GG32 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK05 ,  5F110HK40 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-263473
  
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-110237   Applicant：新日本製鐵株式会社
• コルゲートFETの自己整合されたゲート側壁スペーサおよびその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-057279   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション