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J-GLOBAL ID：200903092464355755

干渉効果半導体装置

Inventor： 岡田 誠
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991156640
Publication number (International publication number)：1993007005
Application date： Jun. 27, 1991
Publication date： Jan. 14, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、ポイントコンタクトから出射されるキャリア波を反射させ、この反射キャリア波と入射キャリア波との間の干渉効果を用いる干渉効果半導体装置に関し、大きな相互コンダクタンスを得ることを目的とする。【構成】 半導体層14に形成されたキャリアを注入するソース領域16と、その後段に形成され、通過するキャリアを量子化するポイントコンタクト20、21を作るスプリットゲート電極18、19と、その後段に形成され、キャリアを収集する単数または複数のドレイン領域23、24と、その後段に形成され、ポイントコンタクト20、21から出射されるキャリア波を反射する機構26、27によって構成した。また、上記の装置において、2個あるいはそれ以上のポイントコンタクトを配置した複数ポイントコンタクトを用いて構成した。

Claim (excerpt)：

半導体層に形成されたキャリアを注入するソース領域と、該半導体層の該ソース領域の後段に形成され、通過するキャリアを量子化するポイントコンタクトを作るスプリットゲート電極と、該半導体層の該スプリットゲート電極の後段に形成され、キャリアを収集する単数または複数のドレイン領域と、該半導体層の該ドレイン領域の後段に形成され、該ポイントコンタクトから出射されるキャリア波を反射する機構を有することを特徴とする干渉効果半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/804 ,  H01L 29/06