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J-GLOBAL ID：200903092485462926

TFT駆動薄膜EL素子

Inventor： 経塚 信也
Applicant, Patent owner： 富士ゼロツクス株式会社
Agent (1)： 住吉 多喜男 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991226348
Publication number (International publication number)：1993094150
Application date： Aug. 13, 1991
Publication date： Apr. 16, 1993
Summary：

【要約】【目的】 パネル面内の輝度ばらつきを抑え、表示品質を高めるとともに、大画面表示に対応できる薄膜EL素子の駆動回路を提供するTFT特性の安定したアクティブマトリクスパネルを得る。【構成】 薄膜エレクトロルミネッセンス素子(Cel)の発光制御用薄膜トランジスタ(TFT Q2)と、TFT Q2のゲート電極に接続された信号保持用キャパシタ(Cs)と、Csへのデータ書き込み用のTFT Q1を有したTFT駆動EL素子において、EL素子の発光を受光することによって、その抵抗が低下する素子(PD)をCs直列に接続しCsに電流(Ipd)を流して、TFT Q2のゲート電圧(Vg2)のフィールドスルーおよびドループによる低下を補償した。

Claim (excerpt)：

薄膜エレクトロルミネッセンス(EL)素子と前記EL素子の発光制御用の薄膜トランジスタ(以後TFTという)と前記発光制御用のTFTのゲート電極に接続された信号保持用のキャパシタと前記キャパシタへのデータ書き込み用のTFTを有したTFT駆動薄膜EL素子において、前記EL素子の発光を受光することによって、その抵抗が低下する素子の一端を前記信号保持用のキャパシタのデータ書込み側に直列に接続し、他端を前記キャパシタを充電する電源に接続したことを特徴とするTFT駆動薄膜EL素子。

IPC (2)：

G09G 3/30 ,  H05B 33/08