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J-GLOBAL ID：200903092485618632

半導体装置

Inventor： 久保川 道矢
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992096594
Publication number (International publication number)：1993299617
Application date： Apr. 16, 1992
Publication date： Nov. 12, 1993
Summary：

【要約】【目的】配線層のみで論理の切り替えを行うチャネル型マスタスライス型半導体装置の配線専用領域にインバータを作り込み配線専用領域を効率的に使える半導体装置を提供する。【構成】配線チャネル領域内に、ベーシックセル内のトランジスタよりチャネル長の長い第一の型のトラジスタと、第二の型のトラジスタを、ベーシックセルの繰り返し方向とチャネル長方向が同一方向で、ベーシックセルの繰り返し方向に一列に配置しインバータを構成する。【効果】配線領域でドライブ能力の小さいインバータを使うことが可能になり、配線効率が落ちない。

Claim (excerpt)：

配線層のみで論理の切り替えを行うチャネル型マスタスライス型半導体装置の配線領域に於て、第一の配線チャネル領域内にありベーシックセルの繰り返し方向とチャネル長方向が同一である第一の型の第一のトラジスタ手段と、 前記第一の配線チャネル領域内にありベーシックセルの繰り返し方向とチャネル長方向が同一である第二の型の第二のトラジスタ手段と、第一のトランジスタ手段と第二のトランジスタ手段からなり、第一のトランジスタ手段と第二のトランジスタ手段がベーシックセルの繰り返し方向に一列に配置されている第一のインバータ手段の構成が少なくとも一つあることを特徴とする半導体装置。