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J-GLOBAL ID：200903092490031330

二次元画像検出器およびその製造方法

Inventor： 和泉 良弘 ,  寺沼 修
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 小池 隆彌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998070270
Publication number (International publication number)：1999274452
Application date： Mar. 19, 1998
Publication date： Oct. 08, 1999
Summary：

【要約】【課題】 アクティブマトリクス基板上に300°C以下の低温でCdTeやCdZnTeなどの半導体材料を形成することで、応答性がよく、動画像にも対応できる二次元画像検出器およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 格子状に配列された電極配線と、各格子点毎に設けられた複数のスイッチング素子と、該スイッチング素子を介して前記電極配線に接続される画素電極を含む電荷蓄積容量とからなる画素配列層と、前記画素配列層のほぼ全面に対向して形成される電極部と、前記画素配列層および電極部の間に形成され、光導電性を有する半導体層とを備えてなる二次元画像検出器において、前記画素配列層を含むアクティブマトリクス基板と、前記電極部および半導体層を含む対向基板とを備えており、前記アクティブマトリクス基板の画素配列層と、前記対向基板の半導体層とが対向するように両基板が配置されるとともに、該両基板は、接着性を有する導電粒子によって接続されていることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

格子状に配列された電極配線と、各格子点毎に設けられた複数のスイッチング素子と、該スイッチング素子を介して前記電極配線に接続される画素電極を含む電荷蓄積容量とからなる画素配列層と、前記画素配列層のほぼ全面に対向して形成される電極部と、前記画素配列層および電極部の間に形成され、光導電性を有する半導体層とを備えてなる二次元画像検出器において、前記画素配列層を含むアクティブマトリクス基板と、前記電極部および半導体層を含む対向基板とを備えており、前記アクティブマトリクス基板の画素配列層と、前記対向基板の半導体層とが対向するように両基板が配置されるとともに、該両基板は、接着性を有する導電粒子によって接続されていることを特徴とする二次元画像検出器。

IPC (4)：

H01L 27/146 ,  G01T 1/24 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/09

FI (4)：

H01L 27/14 E ,  G01T 1/24 ,  H01L 27/14 K ,  H01L 31/00 A