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J-GLOBAL ID：200903092501548631

電子放出素子及び電子源及び画像形成装置の製造方法

Inventor： 山野辺 正人 ,  三道 和宏
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998081483
Publication number (International publication number)：1999283494
Application date： Mar. 27, 1998
Publication date： Oct. 15, 1999
Summary：

【要約】【課題】 均一で、良好な電子放出特性をもつ電子放出素子を、歩留まり良く、安価に製造できる電子放出素子の製造方法及びこれを用いた電子源及び画像形成装置の製造方法を提供する。【解決手段】 基体1上に一対の電極2,3と電子放出部5を有する導電性薄膜4を有する電子放出素子の製造方法において、前記基体表面に酸化チタン層を形成する工程;前記基体に光を照射して該基体の表面エネルギーを低下し初期化する工程;前記基体の表面エネルギーを調整する工程;前記基体に有機金属含有溶液を付与する工程;前記基体に付与された前記有機金属含有溶液を熱分解し前記導電性薄膜4を形成する工程;を有することを特徴とする電子放出素子の製造方法。

Claim (excerpt)：

基体上に一対の電極と電子放出部を形成した導電性薄膜を有する電子放出素子の製造方法において、前記基体表面に酸化チタン層を形成する工程;前記基体に光を照射して該基体の表面エネルギーを低下し初期化する工程;前記基体の表面エネルギーを調整する工程;前記基体に有機金属含有溶液を付与する工程;前記有機金属含有溶液を熱分解して前記導電性薄膜を形成する工程;を有することを特徴とする電子放出素子の製造方法。

IPC (4)：

H01J 9/02 ,  H01J 1/30 ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12

FI (4)：

H01J 9/02 E ,  H01J 1/30 E ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12 C