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J-GLOBAL ID：200903092503234464

半導体装置とその製造方法

Inventor： 山中 邦裕
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー
Agent (1)： 野口 繁雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997342129
Publication number (International publication number)：1999163157
Application date： Nov. 26, 1997
Publication date： Jun. 18, 1999
Summary：

【要約】【課題】 低製造コスト、低消費電力、高速性を持ち合わせた半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 第1のトランジスタは、高濃度基板領域15により高いしきい値電圧をもち、また、パンチスルーストッパー層9によりソース領域・ドレイン領域間のパンチスルーを抑制することができるので、オフリーク電流を低くでき、低消費電力に適しており、第2のトランジスタは、チャネル領域全域に低濃度チャネル領域13bを備えるので、低いしきい値電圧をもち、高い駆動電流をもつ。ソース・ドレイン拡散層11は、その底部に形成された低濃度基板領域7により接合容量を低減されている。電源オン時には第2のトランジスタ、電源オフ時には第1のトランジスタを用いる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に形成された第1導電型のウエルと、前記ウエルの第1のチャネル領域上に形成された第1のゲート酸化膜と、前記第1のゲート酸化膜上に形成され、前記ウエルとは絶縁された第1のゲート電極と、前記第1のチャネル領域の前記第1のゲート電極端部直下近傍に形成され、不純物濃度が前記ウエルより低い第1導電型の第1の低濃度チャネル領域と、前記第1のチャネル領域の前記第1のゲート電極中央部直下近傍に形成され、不純物濃度が前記第1の低濃度チャネル領域よりも高い第1導電型の第1の高濃度チャネル領域と、前記ウエルに前記第1のチャネル領域を挾んで互いに独立に設けられた第2導電型の第1のソース領域及び第1のドレイン領域と、前記第1の低濃度チャネル領域下に前記第1のソース領域及び前記第1のドレイン領域側部に隣接して形成され、不純物濃度が前記第1の低濃度チャネル領域よりも高い第1導電型の第1の高濃度基板領域と、前記第1のソース領域及び前記第1のドレイン領域の底部に隣接して形成され、不純物濃度が前記ウエルよりも低い第1導電型の第1の低濃度基板領域と、をもつ第1のトランジスタからなる第1のトランジスタ領域と、前記ウエルと、前記ウエルの前記第1のチャネル領域よりも短いチャネル長をもつ第2のチャネル領域上に形成された第2のゲート酸化膜と、前記第2のゲート酸化膜上に形成され、前記ウエルとは絶縁され、チャネル長方向への長さが前記第1のゲート電極よりも短い第2のゲート電極と、前記第2のチャネル領域の前記第2のゲート電極直下近傍に形成され、不純物濃度が前記ウエルより低い第1導電型の第2の低濃度チャネル領域と、前記ウエルに前記第2のチャネル領域を挾んで互いに独立に設けられた第2導電型の第2のソース領域及び第2のドレイン領域と、前記第2の低濃度チャネル領域下に前記第2のソース領域及び前記第2のドレイン領域側部に隣接して形成され、不純物濃度が前記第2の低濃度チャネル領域よりも高い第1導電型の第2の高濃度基板領域と、前記第2のソース領域及び前記第2のドレイン領域の底部に隣接して形成され、不純物濃度が前記ウエルよりも低い第1導電型の第2の低濃度基板領域と、をもち、前記第1のトランジスタとは、しきい値が異なる第2のトランジスタからなる第2のトランジスタ領域と、を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/78

FI (2)：

H01L 27/08 102 B ,  H01L 29/78 301 H