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J-GLOBAL ID：200903092504495423

半導体レーザと光ファイバの結合構造

Inventor： 蔵田 和彦
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994024614
Publication number (International publication number)：1995234341
Application date： Feb. 23, 1994
Publication date： Sep. 05, 1995
Summary：

【要約】【目的】 半導体レーザと光ファイバをレンズを介さず直接的に結合させる結合構造において、生産性に優れ、低結合損失であり、しかも光ファイバ端面からのフレネル反射による戻り光の影響を除去し、半導体レーザの安定動作を可能にする結合構造を提供する。【構成】 光ファイバの端面の面粗さRzが、0.04μm以上0.06μm以下にし、積極的に粗くして端面での反射光を散乱させて、半導体レーザの活性層への再結合を防ぐ。また、端面が#2000以下で指定される砥粒のブレードソーで切断して形成された光ファイバを用いる。これとは別に端面が#2000以下の砥粒を用いて研磨される光ファイバを用いる。

Claim (excerpt)：

半導体レーザの出射面の近傍に光ファイバの端面を配置して、前記半導体レーザの出射光を前記光ファイバに光学的に結合させる半導体レーザと光ファイバの結合構造において、前記光ファイバの端面の面粗さRzが、0.04μm以上であり、かつ0.06μm以下であることを特徴とする半導体レーザと光ファイバの結合構造。

IPC (2)：

G02B 6/42 ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭58-207016
  
• 特開昭61-034509