プラズマCVD法及び装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：谷川昌夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997300434
Publication number (International publication number)：1999131241
Application date： Oct. 31, 1997
Publication date： May. 18, 1999
Summary：

【要約】【課題】被成膜物品が立体的な外形を有するものである場合にも、内部に空洞を有する中空状被成膜物品であれば、その外表面に安定して膜形成できるプラズマCVD法及び装置を提供する。【解決手段】真空容器1内で成膜原料ガスに電力供給してこのガスをプラズマ化し、このプラズマの下で被成膜物品Sの表面に膜形成するプラズマCVD法及び装置であって、中空状の被成膜物品Sに対し、その内部に嵌まる内部電極61を物品設置電極として用いて内部電極61に物品Sを外嵌した状態で物品Sの外表面に膜形成するプラズマCVD法及びこの方法を実施するための装置。

Claim (excerpt)：

真空容器内で成膜原料ガスに電力を供給して該ガスをプラズマ化し、該プラズマの下で被成膜物品の表面に膜形成するプラズマCVD法であって、中空状の被成膜物品に対し、その内部に嵌まる内部電極を物品設置電極として用いて該内部電極に該物品を外嵌した状態で該物品の外表面に膜形成することを特徴とするプラズマCVD法。

IPC (4)：

C23C 16/50 , C23C 16/52 , H01L 21/205 , H05H 1/46

FI (4)：

C23C 16/50 , C23C 16/52 , H01L 21/205 , H05H 1/46 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

堆積膜形成装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-206600 Applicant：キヤノン株式会社
特開平1-279757
特開昭63-303074

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