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J-GLOBAL ID：200903092518251578

ショットキ形電界効果トランジスタ

Inventor： 中塚 忠良 ,  井上 薫 ,  正戸 宏幸 ,  八木田 秀樹
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993177768
Publication number (International publication number)：1994097204
Application date： Jul. 19, 1993
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：

【要約】【目的】 GaAsMESFETのゲート・ソース間電圧に対するドレイン電流の非線形性を改善し、以て高周波増幅器としての優れた低歪特性を実現する。【構成】 伝導層としてのn-InGaAs層111をバリア層としての2つのn-AlGaAs層110,112で挟んだ構造を有する半導体基体の表面に、ショットキ・ゲート電極201、ソース・オーミック電極202及びドレイン・オーミック電極203を形成する。ある範囲のゲート・ソース間電圧Vgsに対して相互コンダクタンスgmが一定値を示す。

Claim (excerpt)：

半導体基体の表面と各々オーム性接触をなすようにソース電極及びドレイン電極が形成され、かつ該両電極の間において前記半導体基体の表面とショットキ接触をなすようにゲート電極が形成されたショットキ形電界効果トランジスタであって、前記半導体基体の表面は、n型不純物がドーピングされたInGaAsからなる伝導層を、各々n型不純物がドーピングされたAlGaAsからなる2つのバリア層で挟んだ構造を有することを特徴とするショットキ形電界効果トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭61-131565
  
• 特開昭62-015862