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J-GLOBAL ID：200903092519469275

半導体レーザおよびその製造方法

Inventor： 吉田 伊知朗
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993142358
Publication number (International publication number)：1995007217
Application date： Jun. 14, 1993
Publication date： Jan. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】 GaAsまたはGaInAsを活性層とする高出力半導体レーザを提供すること。【構成】 GaAs基板1を用い、活性層4が量子井戸層43をバリヤ層41、45で挟んだ量子井戸構造となっており、量子井戸層43がGaAsまたはGaInAsからなる半導体レーザにおいて、バリヤ層41、45はAlGaInP(Al組成が零の場合を含む)からなり、このうち電流が注入されるストライプ部はオーダリングされており、光の出射端面部はディスオーダリングされている。

Claim (excerpt)：

GaAsを基板とし、活性層が量子井戸層をバリヤ層で挟んだ量子井戸構造となっており、前記量子井戸層がGaAsまたはGaInAsからなる半導体レーザにおいて、前記バリヤ層はAlGaInP(Al組成が零の場合を含む)からなり、このうち電流が注入されるストライプ部はオーダリングされており、光の出射端面部はディスオーダリングされていることを特徴とする半導体レーザ。