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J-GLOBAL ID：200903092526977278

薄膜トランジスタ及びその製造方法

Inventor： 松本 友孝 ,  長広 紀雄
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 寒川 誠一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993250890
Publication number (International publication number)：1995106577
Application date： Oct. 07, 1993
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 薄膜トランジスタ及びその製造方法に関し、低温で、かつ、スループットの高いプロセスで製造される薄膜トランジスタとその製造方法とを提供することを目的とする。【構成】 透光性絶縁基板1上に形成された多結晶シリコン層3を活性層とする薄膜トランジスタにおいて、多結晶シリコン層3と透光性絶縁基板1との間に、(001)方向に配向した多結晶窒化アルミニウム層2を形成するように構成する。この場合の多結晶シリコン層3は、(111)方向に配向している。

Claim (excerpt)：

透光性絶縁基板(1)上に形成された多結晶シリコン層(3)を活性層とする薄膜トランジスタにおいて、前記多結晶シリコン層(3)と前記透光性絶縁基板(1)との間に、(001)方向に配向した多結晶窒化アルミニウム層(2)が形成されてなることを特徴とする薄膜トランジスタ。