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J-GLOBAL ID：200903092534402438

半導体結晶中の深い準位密度分布の評価方法

Inventor： 北川原 豊 ,  星 亮二 ,  竹中 卓夫
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 舘野 公一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991274545
Publication number (International publication number)：1993090368
Application date： Sep. 26, 1991
Publication date： Apr. 09, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体ウェーハにおける半導体結晶中での深い準位(Deep Level)のウェーハ面内相対濃度分布を得る。【構成】 半導体ウェーハにおけるDeep Level起因のフォトルミネッセンス強度(Deep Level PL 強度)(ID ) のウェーハ面内マッピング(MD ),バンド端 PL強度(IB ) のウェーハ面内マッピング(MB ) を得た後に、前者の PL 強度(ID )のウェーハ面内マッピング(MD ) を、後者の PL 強度(IB ) のウェーハ面内マッピング(MB ) のν乗で除して、 Deep Level 濃度(ND ) の相対値のウェーハ面内分布(MN ) を求め、この Deep Level 濃度(ND ) のウェーハ面内相対分布(MN )によって Deep Level の相対濃度分布を評価する。

Claim (excerpt)：

室温フォトルミネッセンス (PL) 法を用い、レーザ光源からの励起レーザ光により、被評価対象の半導体ウェーハ面をX・Y方向にスキャニングして、当該半導体ウェーハにおけるDeep Level起因のフォトルミネッセンス強度(Deep Level PL 強度)(ID ) のウェーハ面内マッピング(MD ),バンド端PL強度(IB ) のウェーハ面内マッピング(MB ) を測定する過程と、前記 PL 強度(ID ) のウェーハ面内マッピング(MD ) を、前記 PL 強度(IB )のウェーハ面内マッピング(MB ) のν乗(ν値は PL 強度(IB )における励起レーザ光のパワー依存性を実験的に求めることによって決めた値)で除して DeepLevel 濃度(ND ) の相対値ウェーハ面内分布(MN ) を求める過程とを少なくとも含み、当該 Deep Level 濃度(ND ) のウェーハ面内相対分布(MN ) によりDeep Level相対濃度分布を評価することを特徴とする半導体結晶中の深い準位密度分布の評価方法。

IPC (2)：

H01L 21/66 ,  G01N 21/64