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J-GLOBAL ID：200903092542502476

金属膜のエッチング方法

Inventor：
朴 世烈

About 朴 世烈

, 
小河 慶子

About 小河 慶子

, 
西澤 孝則

About 西澤 孝則


Applicant, Patent owner：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

About アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド


Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998310653
Publication number (International publication number)：2000138204
Application date： Oct. 30, 1998
Publication date： May. 16, 2000
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 金属膜をプラズマエッチングする場合において、ノッチ形成や残渣の発生を抑制することのできる手段を提供することにある。【解決手段】 本発明は、Al、Al合金又はCuから成る金属膜4、その上にTi系の反射防止膜5、更にその上にフォトレジスト膜6が形成されている被処理基板Wを処理チャンバ内に配置し、処理チャンバ内を所定圧力に減圧し、処理チャンバ内にエッチングガスを供給すると共に、処理チャンバ内にプラズマを生成して金属膜をエッチングするエッチング方法において、エッチングガスを、Cl含有ガスと、C及びFを含有するCF系ガスとを含むものとしたことを特徴とする。この方法によれば、ノッチや残渣の発生が防止ないしは大幅に低減される。
Claim (excerpt)：
アルミニウム、アルミニウム合金又は銅から成る金属膜、その上にチタン系の反射防止膜、更にその上にフォトレジスト膜が形成されている被処理基板を処理チャンバ内に配置し、前記処理チャンバ内を所定圧力に減圧し、前記処理チャンバ内にエッチングガスを供給すると共に、前記処理チャンバ内にプラズマを生成して、前記金属膜をエッチングするエッチング方法であって、前記エッチングガスが、Cl含有ガスと、C及びFを含有するCF系ガスとを含むことを特徴とする金属膜のエッチング方法。
IPC (4)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3213
FI (4)：
H01L 21/302 F ,  C23F 4/00 E ,  H01L 21/28 F ,  H01L 21/88 D
F-Term (52)：
4K057DA20 ,  4K057DB04 ,  4K057DB05 ,  4K057DB08 ,  4K057DD01 ,  4K057DE01 ,  4K057DE04 ,  4K057DE06 ,  4K057DE07 ,  4K057DE08 ,  4K057DE09 ,  4K057DM37 ,  4K057DM40 ,  4K057DN01 ,  4M104AA01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB14 ,  4M104DD65 ,  4M104EE05 ,  4M104EE14 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104GG13 ,  4M104HH20 ,  5F004AA01 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB13 ,  5F004BD02 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DB01 ,  5F004DB08 ,  5F004DB09 ,  5F004DB12 ,  5F004DB16 ,  5F004EA22 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH33 ,  5F033QQ03 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ16
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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