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J-GLOBAL ID：200903092549469881

発光素子およびその製造方法

Inventor： 横川 俊哉 ,  久保 実
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992044406
Publication number (International publication number)：1993243613
Application date： Mar. 02, 1992
Publication date： Sep. 21, 1993
Summary：

【要約】【目的】 発光素子およびその製造方法に関するもので、p型正孔注入層を得て、高い発光効率のp-n接合型青色LEDを提供する。【構成】 サファイア基板11上に形成されたn型GaN結晶13上に、p伝導型を有したGaAs142とGaN141を交互に積層した超格子構造を形成し、超格子構造14上に正電極、GaN結晶13に負電極を形成した構成の発光素子である。

Claim (excerpt)：

n伝導型を有したGaN結晶上に、p伝導型を有したGaAsまたはp伝導型を有したGaPとGaNを交互に積層した構造を有し、前記GaAsまたはGaPとGaNを交互に積層した構造上に正電極、前記GaN結晶に負電極を備えたことを特徴とする発光素子。