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J-GLOBAL ID：200903092550219317

半導体発光装置

Inventor： 早川 利郎
Applicant, Patent owner： 富士写真フイルム株式会社
Agent (1)： 柳田 征史 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994163696
Publication number (International publication number)：1996032161
Application date： Jul. 15, 1994
Publication date： Feb. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】 外部光学系により発光波長を選択可能で、半導体光増幅器の選択の自由度が高く、低コスト化の要求に応えることができ、また調整も容易な半導体発光装置を得る。【構成】 半導体光増幅器10の端面10bから出射した光ビーム11を狭透過波長帯域特性の干渉フィルタ14に通して波長選択し、その光ビーム11をミラー13で反射させて半導体光増幅器10に戻す。

Claim (excerpt)：

半導体光増幅器と、この半導体光増幅器の一端面から出射した光を反射させて前記一端面に戻すミラーと、前記光の光路に挿入された狭透過波長帯域特性のバンドパスフィルタとからなる半導体発光装置。

IPC (3)：

H01S 3/10 ,  G02B 5/28 ,  H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-069987
  
• 波長可変半導体レーザー及び外部共振ユニット
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-197645   Applicant：有限会社光伸光学