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J-GLOBAL ID：200903092551375410

半導体光素子および光通信システム

Inventor： 大歳 創 ,  魚見 和久
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991225645
Publication number (International publication number)：1993063301
Application date： Sep. 05, 1991
Publication date： Mar. 12, 1993
Summary：

【要約】【構成】二対の分布ブラッグ反射器のうちの一方が、pin構造になっており、そのi領域17の屈折率を制御するために、三端子13、14、15の構成になっている。つまり、発光領域である量子井戸9へキャリアを注入するための電極13と14と独立に、i領域17の電界あるいはキャリア密度を制御するための電極14と15を設ける。【効果】一波長キャビティ型マイクロ共振器レーザにおいて、量子井戸の発光波長と分布ブラッグ反射器の共振波長を容易に一致させることができる。また、変調においてキャリアの出入りを伴わないので、超高速変調が可能である。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、光を発生する活性層と、前記活性層を上下から挾むように設けた一対の分布反射器とを含む垂直共振器型の半導体光素子において、前記一対の分布反射器の一方の屈折率を電界あるいはキャリア注入、あるいは光注入で変化させることで前記活性層から放出される光を制御してなることを特徴とする半導体光素子。