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J-GLOBAL ID：200903092559072793
バリアメタル層の形成方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994011870
Publication number (International publication number)：1995221048
Application date： Feb. 03, 1994
Publication date： Aug. 18, 1995
Summary：
【要約】【目的】 Ti塩化物を使用するCVD法により堆積させたTiN膜中に多量に残留する塩素を減らす。【構成】 TiN膜に、N2 、NH3 、N2 H4 ガスあるいはそれらの混合ガスにより発生させたプラズマを照射して膜中の塩素濃度を減少させる。基板を加熱するとより塩素が低減される。あるいは、前記ガス雰囲気中で堆積したTiNを加熱する。堆積直後にTiN膜中に含まれる残留塩素濃度を2桁以上低減する事が可能となる。膜厚が厚い場合、あるいはより効率的に膜中の塩素濃度を低減するには、堆積膜厚が薄い状態でTiN膜堆積を中断し、上記処理を行うことを繰り返す。
Claim (excerpt)：
Tiの塩化物を原料として化学気相成長法によりTiN薄膜を堆積し、窒素を含むプラズマをこの堆積膜に照射することを特徴とするTiN薄膜の形成方法。
IPC (2)：
H01L 21/285 301
, H01L 21/205
