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J-GLOBAL ID：200903092561981598

電磁波吸収体

Inventor： 小西 良弘 ,  古森 秀樹 ,  飯田 正一
Applicant, Patent owner： 有限会社ケイラボラトリー ,  日本ペイント株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995095407
Publication number (International publication number)：1996288684
Application date： Apr. 20, 1995
Publication date： Nov. 01, 1996
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、準マイクロ波からミリ波まで、高い吸収能を有し、しかもその構造体自体が薄型化を可能にしうる電磁波吸収体を提供する。【構成】 導電性材料1表面に1種または2種以上の磁性損失層2を形成した電磁波吸収体Aであって、該吸収体が波形構造を有し、波形の高さが20mm未満であることを特徴とする電磁波吸収体。

Claim (excerpt)：

導電性材料の表面に磁性損失層を形成した電磁波吸収体であって、該吸収体が波形構造を有し、波形の高さが20mm未満であることを特徴とする電磁波吸収体。