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J-GLOBAL ID：200903092567358671

不揮発性半導体記憶装置

Inventor：
白田 理一郎

About 白田 理一郎


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995184285
Publication number (International publication number)：1997036259
Application date： Jul. 20, 1995
Publication date： Feb. 07, 1997
Summary：
【要約】【課題】 ベリファイなしで高速書き込みしてもメモリセルのしきい値分布幅を狭くすることができ、これにより高速読み出しも可能にする。【解決手段】 p型Si基板1上にn型ウェル2,3を周辺制御部とセルアレイ部で別々に設け、セルアレイ部のn型ウェル2上に浮遊ゲート8と制御ゲート9を積層して構成された電気的書き替え可能なメモリセルがマトリクス状に配置されたメモリセルアレイを有するEEPROMにおいて、浮遊ゲート8は、p型不純物をドープしたSi層より成る。
Claim (excerpt)：
p型半導体基板にn型ウェルを周辺制御部とセルアレイ部で別々に設け、セルアレイ部のn型ウェル上に電荷蓄積層と制御ゲートを積層して構成された電気的書き替え可能なメモリセルがマトリクス状に配置されたメモリセルアレイを有する不揮発性半導体記憶装置において、前記電荷蓄積層は、ノンドープ又はp型不純物をドープした半導体より成ることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (4)：
H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115
FI (2)：
H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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