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J-GLOBAL ID：200903092570567966

高周波インダクタの製造方法

Inventor： 西山 茂 ,  石田 修一 ,  渡辺 邦昭
Applicant, Patent owner： 東光株式会社
Agent (1)： 大田 優
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995334239
Publication number (International publication number)：1997153425
Application date： Nov. 30, 1995
Publication date： Jun. 10, 1997
Summary：

【要約】【課題】 導体パターンを形成した絶縁基板のスクライブの位置ずれによる特性の劣化を防止し、製造工数を低減する。【解決手段】 絶縁基板の裏面にスクライブラインに沿った平行な溝を形成し、表面に溝の伸びる方向に間隔を置いて複数の導体パターンをその両端を溝に対向する位置に引き出して形成し、その溝に直角の方向に絶縁基板を切断する。その溝に沿って基板を分割し、端面に端子電極を形成する。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板の表面にインダクタ用導体パターンを具え、その両端が基板端面の外部端子電極に接続される高周波インダクタの製造方法において、絶縁性基板の裏面に複数の平行な溝を形成し、それらの溝で区切られる部分の絶縁性基板の表面のそれぞれに、溝の伸びる方向に間隔を置いて複数のインダクタ用導体パターンを形成し、その絶縁性基板を溝に直角な方向にインダクタ用導体パターン間で切断した後、切断されたそれぞれの絶縁性基板を溝に沿って分割し、インダクタ用導体パターンに接続される外部端子電極を当該分割された端面に形成することを特徴とする高周波インダクタの製造方法。

IPC (3)：

H01F 41/04 ,  H01F 27/29 ,  H01F 17/00

FI (4)：

H01F 41/04 C ,  H01F 17/00 B ,  H01F 17/00 A ,  H01F 15/10 C