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J-GLOBAL ID：200903092576471391

垂直カーボン・ナノチューブ電界効果トランジスタ

Inventor： トシハル・フルカワ ,  スティーブン・ジェイ・ホームズ ,  マーク・シー・ヘイキー ,  デビッド・ブイ・ホラック ,  チャールズ・ダブリュー・コバーガー・サード ,  ピーター・エイチ・ミッチェル ,  ラリー・エイ・ネスビット
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション
Agent (3)： 坂口 博 ,  市位 嘉宏 ,  上野 剛史
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005000225
Publication number (International publication number)：2005197736
Application date： Jan. 04, 2005
Publication date： Jul. 21, 2005
Summary：

【課題】 カーボン・ナノチューブを応用して、良好に制御されたチャネル長をもつ電界効果トランジスタを形成する方法を提供すること。【解決手段】 電界効果トランジスタは、垂直に配向されたカーボン・ナノチューブをトランジスタ本体として使用し、このカーボン・ナノチューブは、垂直の開口内部に析出させることにより形成され、量子化された電流駆動を生成するために平行な数個のナノチューブが任意的に組み合わされ、短チャネル効果を抑制するために頂部又は底部においてカーボン材料の化学組成が任意的に変更される。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

カーボン・ナノチューブ内にチャネルを有する垂直電界効果トランジスタを形成する方法であって、 基板上に第1の導電層を形成し、 前記第1の導電層上に第1の絶縁層を形成し、 前記第1の絶縁層上にゲート層を形成し、 前記ゲート層及び前記第1の絶縁層を通る実質的に垂直の内壁を有し、底部が前記第1の導電層を露出させる開口を形成し、 前記開口の前記壁上に絶縁ライナを形成し、 底部が前記第1の導電層に電気的に接触する半導体カーボン・ナノチューブを前記開口内に形成し、 前記カーボン・ナノチューブの頂部に電気的コンタクトを形成する、 ステップを含む方法。

IPC (3)：

H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

FI (4)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/78 626A ,  H01L29/78 618A

F-Term (27)：

5F110AA07 ,  5F110AA16 ,  5F110CC09 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE09 ,  5F110EE38 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG57 ,  5F110HK09 ,  5F110HK14 ,  5F110HL02 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN24 ,  5F110NN33 ,  5F110QQ19